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(普通問題)
volte室分-110以下通話出現(xiàn)卡頓、聽不清楚，宏站正常，求問是什么原因？
室分弱覆蓋場景（RSRP<-110dbm,sinr>10）volte通話質(zhì)差（存在聲音斷斷續(xù)續(xù)、雜音和聽不清楚等情況，出現(xiàn)頻繁），宏站相同環(huán)境通話基本正常。
提問者:
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問題答案
( 6 )
檢查一下有沒有干擾的影響。。
回答者：
litom2004
回答時(shí)間：2016-12-09 11:15
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30
排除是不是終端問題
排除測試地點(diǎn)是否有干擾源
查看空閑態(tài)和通話中的RSRP和SINR值 有沒有突升突降的情況（對MOS影響很大）
回答者：
ForzaMilan
回答時(shí)間：2016-12-09 13:48
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30
1、終端試過多種，情況相同2、干擾不存在，選擇5、6個(gè)不同地點(diǎn)測試，也觀察過RB干擾情況
3、選擇的是rsrp在-115~-110的無線環(huán)境測試，波動(dòng)都在這個(gè)范圍內(nèi)，sinr現(xiàn)場測試值基本都在10以上。
現(xiàn)在主要問題就是宏站在相同環(huán)境下就很少這種volte質(zhì)差現(xiàn)象，室分出現(xiàn)很頻繁，這個(gè)要從哪方面來分析？
3、選擇的是rsrp在-115~-110的無線環(huán)境測試，波動(dòng)都在這個(gè)范圍內(nèi)，sinr現(xiàn)場測試值基本都在10以上。
現(xiàn)在主要問題就是宏站在相同環(huán)境下就很少這種volte質(zhì)差現(xiàn)象，室分出現(xiàn)很頻繁，這個(gè)要從哪方面來分析？
17574971 2016-12-09 14:22
有沒有換過同樣的小區(qū)進(jìn)行驗(yàn)證。
對比一下MOS和丟包率是否接近，換個(gè)微站小區(qū)對比驗(yàn)證。
回答者：
heroduk
回答時(shí)間：2016-12-09 17:17
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看下上行，UE發(fā)射功率是不是最大了？室分是不是單路的？
回答者：
tubulvxing
回答時(shí)間：2016-12-12 10:17
37
27
室分是單路的，你宏站是幾T幾R的
回答者：
stoolers
回答時(shí)間：2016-12-12 13:12
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看是否抖動(dòng)和丟包率較高
回答者：
鷹行天下
回答時(shí)間：2016-12-14 13:59
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23
抖動(dòng)丟包都比較高（RSRP-110~-115時(shí)丟包大于5%），但是測試其他的室分，設(shè)備參數(shù)基本無差別，相同的電平值下丟包抖動(dòng)都要低很多（RSRP-110~-115時(shí)丟包1%左右），判斷不出原因是什么？
17574971 2016-12-16 11:02
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