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驍龍670詳細參數曝光:10納米工藝 2+6核心設計
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發(fā)表于 2018-02-10 13:28:31  只看樓主 

  除了有望在月底推出搭載驍龍845芯片的三星S9、小米MIX 2S等新機,高通中端6系產品線的驍龍670也有進一步的資料曝光。

  德媒WinFuture主編、知名爆料人Roland Quandt最新撰文披露了這款SoC的一些規(guī)格資料。

  驍龍670基于10nm工藝制造,CPU部分設計為2顆Kryo 300系列Gold大核以及6顆Kryo 300系列Silver小核(基于Cortex A55),最高主頻2.6GHz,小核最高主頻1.7GHz。

  這推翻了此前4+4的Big.Little設計,比較意外。同時,每核心內件2KB L1緩存,每個叢集享有128KB L2緩存。

  GPU是Adreno 615,可以實現430MHz、650MHz和700MHz+調頻。

  其他方面,閃存支持UFS 2.1和eMMC 5.1,基帶集成X20系列,下行速度追上驍龍835的水平,達到1Gbps。

  此前我們已經見識過驍龍670 CPU性能,GeekBench 4跑分單核心超1860、多核心超5250,相比于驍龍660單核提升約10%,但多核心反而下降了10%。

  最后,爆料人Roland Quandt稱,早先中國所謂數碼愛好者的泄露一派胡言,他拿到的信息基于高通的官方代碼文檔,可信度是極高的。


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