無線網(wǎng)絡運營商和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商在順應 5G 發(fā)展的新形勢下目標一致 - 他們需要盡可能快速且經(jīng)濟高效地移動數(shù)據(jù)。隨著射頻和光通信技術(shù)的并行發(fā)展開始相互交融，我們將更清楚地了解一個技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新如何影響其他領(lǐng)域的發(fā)展。

射頻基站實現(xiàn)的更快數(shù)據(jù)處理和吞吐速度同樣反映在從 100G 到 400G 光收發(fā)器模塊的過渡中，特別是在端口密度必須繼續(xù)增加以滿足數(shù)據(jù)中心對不斷增長的數(shù)據(jù)量的需求。

實現(xiàn)更高集成度和減少組件數(shù)量是大勢所趨，這是向 400G 模塊發(fā)展的關(guān)鍵因素，其中單 λ（又稱單波長）PAM-4 調(diào)制方案的出現(xiàn)正在轉(zhuǎn)變模塊架構(gòu)。對于 100G 收發(fā)器，單 λ PAM-4 技術(shù)可將激光器數(shù)量減少為一個，并消除了對光復用的需求。對于400G 實施方案，僅需四個光學組件，對數(shù)據(jù)中心運營商而言，這是一個通過極其緊湊且節(jié)能的模塊降低其成本的重大機遇。超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的這項創(chuàng)新將在不久后推廣到無線網(wǎng)絡節(jié)點。

在半導體層面上，硅光子技術(shù)的不斷進步將改變新一代多功能 MMIC 的組成，從而利用已確立的 CMOS 工藝通過商業(yè)規(guī)模的制造技術(shù)在晶圓基底上一次生產(chǎn)數(shù)千個光學元件。憑借將基于氮化鎵的射頻器件與光學器件集成在單一硅片上的新功能（以極具吸引力的成本結(jié)構(gòu)實現(xiàn)），可減少射頻元件和光學元件之間接口，從而通過網(wǎng)絡輕松實現(xiàn)更清晰、更快速的信號。

與此同時，硅基氮化鎵技術(shù)、多功能 MMIC 和射頻 SoC 的不斷發(fā)展將推動射頻和微波行業(yè)朝著實現(xiàn)更卓越、更經(jīng)濟高效的集成無線系統(tǒng)基礎(chǔ)設施的道路邁進，最終完成 5G 連接的目標。