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網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化工程師招聘專欄 4G/LTE通信工程師最新職位列表 通信實習(xí)生/應(yīng)屆生招聘職位

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無線網(wǎng)優(yōu)技術(shù)分享-4G高負(fù)荷小區(qū)應(yīng)急處理步驟
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發(fā)表于 2020-12-16 14:21:16  只看樓主 

 

 

LTE高負(fù)荷小區(qū)應(yīng)急處理步驟

 

一、高負(fù)荷小區(qū)預(yù)警門限... 2

二、黃色預(yù)警處理方案... 2

第1步:修改最小接入電平... 2

第2步:修改鄰區(qū)CIO即Ocn參數(shù)... 3

第3步:修改鄰區(qū)Qoffsetcell參數(shù)... 3

第4步:修改參考信號發(fā)射功率... 4

第5步:4G分流話務(wù)至2G網(wǎng)絡(luò)... 5

第6-1步:修改室分服務(wù)小區(qū)A5門限(學(xué)會理解事件)... 6

第6-2步:D+F配置中降低D頻段負(fù)荷(學(xué)會理解事件)... 6

第6-3步:D+F配置中降低F頻段負(fù)荷(學(xué)會理解事件)... 7

第6-4步:修改宏站服務(wù)小區(qū)A3事件的Ocs參數(shù)(學(xué)會理解事件)... 8

三、紅色預(yù)警處理方案... 8

1、修改最小接入電平... 8

2、修改參考信號發(fā)射功率至10dBm... 9

3、4G分流話務(wù)至2G.. 9

4、2G分流話務(wù)至3G(針對23G雙模手機(jī))... 10

5、2G分流話務(wù)至3G(針對234G三模手機(jī))... 11

6、修改3G涉及2G參數(shù)(提高3G業(yè)務(wù)吸收能力)... 12

7、修改3G涉及4G參數(shù)(提高LTE網(wǎng)絡(luò)難度系數(shù))... 13

8、修改initPUCCHSRSConfigprofile參數(shù)(慎用,未經(jīng)驗證)... 14

 

 

 


 

一、高負(fù)荷小區(qū)預(yù)警門限

通過NPO的“VS_UE_RRC_connected_state_Tmax”計數(shù)器或PMS統(tǒng)計來監(jiān)控小區(qū)的時段最大在線用戶數(shù),以此來評估小區(qū)的負(fù)荷情況,按下表設(shè)定預(yù)警門限,并對應(yīng)下文所采取的處理手段:

基站版本

最大在線用戶數(shù)

黃色預(yù)警

紅色預(yù)警

LR14.3

400

280

360

二、黃色預(yù)警處理方案

l  第1/2/3步可一次性執(zhí)行完畢,觀察小區(qū)負(fù)荷變化情況;

l  若負(fù)荷持續(xù)偏高,則繼續(xù)執(zhí)行第4/5步,執(zhí)行完畢后,觀察小區(qū)負(fù)荷變化情況;

l  若負(fù)荷持續(xù)偏高,則繼續(xù)執(zhí)行第6步,該步驟中視情況分解為四個分支。

第1步:修改最小接入電平

修改空閑態(tài)小區(qū)最小接入電平Qrxlevmin參數(shù)至-120dBm,意在排除小區(qū)邊緣用戶:

第2步:修改鄰區(qū)CIO即Ocn參數(shù)

依靠mapinfo基站地圖,查看周圍鄰區(qū)的負(fù)荷情況,挑選負(fù)荷相對較輕的幾個鄰區(qū),修改這些鄰區(qū)CIO小區(qū)偏移量也即Ocn參數(shù),該參數(shù)對鄰區(qū)切換判斷事件A3/A4/A5-2均適用,修改至dB3(即正值3dB,不能再超過該值),人為增強(qiáng)鄰區(qū)滿足條件,加快向鄰區(qū)切換,從而減輕服務(wù)小區(qū)負(fù)擔(dān):

第3步:修改鄰區(qū)Qoffsetcell參數(shù)

對標(biāo)第2步,依靠mapinfo基站地圖,查看周圍鄰區(qū)的負(fù)荷情況,挑選負(fù)荷相對較輕的幾個鄰區(qū),且這幾個鄰區(qū)符合以下條件:同頻鄰區(qū)或同優(yōu)先級異頻鄰區(qū),修改Qoffsetcell小區(qū)偏置值至dB-3(即負(fù)值-3dB,不能再超過該值),人為增強(qiáng)R準(zhǔn)則中鄰區(qū)R值,鼓勵重選至鄰區(qū),減輕服務(wù)小區(qū)負(fù)擔(dān):

第4步:修改參考信號發(fā)射功率

該步驟必須區(qū)分宏站還是室分,是單端口還是雙端口,因為對應(yīng)著SIMO節(jié)點還是TxDiv/MIMO節(jié)點,若節(jié)點搞錯了,是達(dá)不到效果的。

室分單端口小區(qū)(單流),下降參考信號發(fā)射功率至10dBm:

 

宏站或室分兩端口小區(qū),修改參考信號發(fā)射功率:先從18dBm/19dBm降低至15dBm,以后視情況決定是否由15dBm降低至12dBm:

第5步:4G分流話務(wù)至2G網(wǎng)絡(luò)

修改重定向B2-1門限至-120dBm,一般情況下基于測量的異系統(tǒng)重定向(語音業(yè)務(wù)為eSRVCC)所對應(yīng)的報告配置標(biāo)識為ReportConfigid29,然而真正的報告配置標(biāo)識是通過測量目的為異系統(tǒng)切換的測量標(biāo)識measurementid所鏈接的報告配置標(biāo)識,為了快速方便,下圖假定報告配置標(biāo)識為ReportConfigid29:

第6-1步:修改室分服務(wù)小區(qū)A5門限(學(xué)會理解事件)

依靠mapinfo基站地圖,若某高負(fù)荷小區(qū)為E室分小區(qū),周圍為D頻段或F頻段宏站,設(shè)置室分至宏站切換為A5事件,A5-1門限為-102dBm,A5-2門限為-100dBm:

第6-2步:D+F配置中降低D頻段負(fù)荷(學(xué)會理解事件)

依靠mapinfo基站地圖,若某高負(fù)荷小區(qū)為D宏站小區(qū),而周圍F頻段宏站負(fù)荷較輕,則采用保持F門限不變而提高D相關(guān)門限方法,使D更容易切換至F頻段:

第6-3步:D+F配置中降低F頻段負(fù)荷(學(xué)會理解事件)

依靠mapinfo基站地圖,若某高負(fù)荷小區(qū)為F宏站小區(qū),而周圍D頻段宏站負(fù)荷較輕,則采用保持F門限不變而降低D相關(guān)門限方法,使F更容易切換至D頻段:

第6-4步:修改宏站服務(wù)小區(qū)A3事件的Ocs參數(shù)(學(xué)會理解事件)

依靠mapinfo基站地圖,若某高負(fù)荷小區(qū)為D頻段宏站小區(qū)或F頻段宏站小區(qū)(不適合室分小區(qū)),且該頻段在片區(qū)內(nèi)連續(xù)覆蓋,可采用修改服務(wù)小區(qū)CIO也即Ocs參數(shù)方式,該參數(shù)對服務(wù)小區(qū)切換判斷事件A3適用,修改至dB-3(即負(fù)值-3dB,不能再超過該值,否則對kpi指標(biāo)負(fù)面影響極大無比),人為減弱服務(wù)小區(qū),以便鄰區(qū)更容易滿足條件,加快向鄰區(qū)的A3事件切換,從而減輕服務(wù)小區(qū)負(fù)擔(dān):

 

三、紅色預(yù)警處理方案

1、修改最小接入電平

修改最小接入電平門限Qrxlevmin參數(shù)至-118dBm,甚至可設(shè)置為-116dBm(慎用):

2、修改參考信號發(fā)射功率至10dBm

3、4G分流話務(wù)至2G(針對234G三模手機(jī))

修改重定向門限B2-1為-118dBm,甚至可設(shè)置為-116dBm,報告配置標(biāo)識為ReportConfig29:

4、2G分流話務(wù)至3G(針對23G雙模手機(jī))

將2G高負(fù)荷小區(qū)的TDD_Qoffset參數(shù)修改至-16dB(根據(jù)新機(jī)制,意味著23G雙模手機(jī)駐留在GSM網(wǎng)絡(luò)且只要TD-SCDMA信號大于-93dBm時,無論空閑態(tài)還是連接態(tài)均可以重選至TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)):

5、2G分流話務(wù)至3G(針對234G三模手機(jī))

將卡特GSM網(wǎng)管中“External 3G Cells”頁面的所有3G外部小區(qū)頻點的THRESH_UTRAN_highTHRESH_UTRAN_low參數(shù)都修改至26dB(意味著234G三模手機(jī)駐留在GSM網(wǎng)絡(luò)且只要TD-SCDMA信號大于-93dBm時,無論空閑態(tài)還是連接態(tài)均可以重選至TD-SCDMA網(wǎng)絡(luò)),這一步已經(jīng)統(tǒng)一執(zhí)行過了,只是作為有機(jī)的組成成分,出現(xiàn)在本文檔中:

6、修改3G涉及2G參數(shù)(提高3G業(yè)務(wù)吸收能力)

空閑態(tài)時,查找4G高負(fù)荷小區(qū)和2G高負(fù)荷小區(qū)所涉及的周圍3G鄰區(qū),挑選出3G話務(wù)量相對較低的3G鄰區(qū),將這些3G小區(qū)選擇與重選門限Qrxlevmin修改成-103dBm:

連接態(tài)時,查找4G高負(fù)荷小區(qū)和2G高負(fù)荷小區(qū)所涉及的周圍3G鄰區(qū),將這些3G小區(qū)切換CCO至2G的3A事件ownsystem門限修改成-95dBm(語音)和-99dBm(數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)):

7、修改3G涉及4G參數(shù)(提高LTE網(wǎng)絡(luò)難度系數(shù))

空閑態(tài)時,查找4G高負(fù)荷小區(qū)周圍的3G鄰區(qū),將這些3G小區(qū)重選至LTE門限Qrxlevmin修改成-104dBm:

連接態(tài)時,查找4G高負(fù)荷小區(qū)周圍的3G鄰區(qū),將這些3G小區(qū)重定向至LTE的3A事件othersystem門限修改成-104dBm:

8、修改initPUCCHSRSConfigprofile參數(shù)(慎用,未經(jīng)驗證)

當(dāng)某小區(qū)用戶數(shù)達(dá)到380及以上時,修改以下參數(shù),把該小區(qū)對全網(wǎng)指標(biāo)的影響降到最低。

路徑

參數(shù)名

推薦值

備注

ENBEquipment/Enb/LteCell/

Cell1ULConf/

initPUCCHSRSConfigprofile

basic

上行PUCCH/SRS 配置窗口super到basic,

注意:參數(shù)修改不要過夜,應(yīng)急保障之后請參數(shù)回退。

 

4G高負(fù)荷小區(qū)應(yīng)急處理步驟.docx



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