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臺(tái)積電正在優(yōu)化下一代芯片制程 N2，也就是 2 納米芯片。從最近泄露的信息看，N2 的能效和密度的確優(yōu)于 N3，但可能提升的幅度沒有那么大。
不論怎樣，如果單看 GPU，至少還有 2 代的進(jìn)步空間。目前 GPU 采用的是 N5 制程。照估計(jì)，AMD、英偉達(dá)都會(huì)向 N3 挺進(jìn)，然后是 N2；至于英特爾，不知道，因?yàn)樗芪ｋU(xiǎn)，可能退出 GPU 競(jìng)爭(zhēng)。也就是說，如果單看制程，未來一段時(shí)間仍然會(huì)有不錯(cuò)的進(jìn)步。
有傳聞稱，不論是 AMD 還是英偉達(dá)下一代 GPU 芯片，包括英偉達(dá) RTX 5090 和 Blackwell，未來一段時(shí)間會(huì)繼續(xù)使用 5nm 加強(qiáng)版（N5P）制程，實(shí)際上相當(dāng)于 N4。
臺(tái)積電稱 N2 性能相比 N3 提升 15%
按照臺(tái)積電的說法，N2 的性能相比 N3 提升 15%，也就是說在相同體積內(nèi)植入的晶體管增加 15%。
這聽起來不錯(cuò)，有兩點(diǎn)需要注意。首先，N2 雖然相比 N3 只提升了 15%，但相比 N5 和 N4 提升巨大。其次，臺(tái)積電聲稱 N2 的 SRAM 密度有提升。實(shí)際上，SARM 方面的提升已經(jīng)遇到瓶頸，臺(tái)積電說過 N3 相比 N5 沒有進(jìn)步，但 N2 會(huì)帶來驚喜。N2 的密度為 38Mb/mm^2，N3 為 33.55 Mb/mm^2。
在大多芯片上，SRAM 占據(jù)了很大的空間，無法縮小 SRAM 已經(jīng)成為一個(gè)需要解決的難題，N2 能在 SARM 方面取得進(jìn)步，這的確是個(gè)好消息。
然后就是效率。臺(tái)積電稱，N3 制程的能效提升 25-30%。也就是說，同樣的性能能耗會(huì)減少，相同的能則耗性能會(huì)更強(qiáng)。
如果進(jìn)展順利，N2 芯片會(huì)在明年下半年開始零售，極有可能會(huì)出現(xiàn)在蘋果產(chǎn)品上。
如果是 PC，不論是 AMD 還是英偉達(dá)產(chǎn)品，在未來一段時(shí)間仍會(huì)使用 5nm 加強(qiáng)版（N5P）制程。照預(yù)計(jì)，它們的產(chǎn)品會(huì)在 2027 年進(jìn)入 N3，2029 年進(jìn)入 N2，至少要到 2031 年年初才能真正買到。
知情者稱臺(tái)積電 2 納米試產(chǎn)良率超 60%
知情者透露，臺(tái)積電 2 納米試產(chǎn)良率超過 60%，高于預(yù)期，明年會(huì)量產(chǎn)。但英特爾前 CEO Pat Gelsinger 認(rèn)為，用良率這一指標(biāo)來衡量不太準(zhǔn)確，因?yàn)榇蟮木A良率低，小的良率高。也就是說，臺(tái)積電的所說的良率只能作為參考。
目前全球約有 99%的 AI 芯片都由臺(tái)積電生產(chǎn)，3 納米需求仍然旺盛，2
