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4 月 18 日消息，在大模型掀起的算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)“軍備競賽”中，高速數(shù)通光模塊需求顯著增長，速率從 400G 迅速迭代到 800G，再到 1.6T。在此背景下，“超大規(guī)模智算中心：1.6T 時代的全光互連”研討會于 4 月 17 日下午舉辦，探討了智算中心內(nèi)光互連的相關(guān)問題。
光模塊不斷向更高速率迭代，CPO（光電共封裝）、LPO、LRO 等新技術(shù)不斷涌現(xiàn)，其中 CPO 得到博通、英偉達兩大網(wǎng)絡(luò)巨頭的支持，在今年分別推出了 CPO 交換機產(chǎn)品，備受業(yè)界關(guān)注。在研討會上，聯(lián)合微電子中心有限責任公司（CUMEC）項目經(jīng)理梁宇鑫發(fā)表演講時認為，帶寬高速增長和降低能耗，是業(yè)界開發(fā)光模塊面臨的核心難題，CPO 將光芯片和電（交換）芯片封裝到一起，通過縮短信號傳輸距離來提升集成度、降低能耗，從而成為“終極解決方案”。
值得一提的是，光通信行業(yè)市場研究機構(gòu) LightCounting 此前評價英偉達推出 CPO 交換機稱，這是漫長征程的第一步。在本次研討會上，LightCounting 進一步預(yù)計到 3.2T 時代，CPO 的優(yōu)勢將更加明顯，技術(shù)也將更加成熟，可能是 Scale-up 多機架系統(tǒng)的“唯一解決方案”�，F(xiàn)階段可插拔技術(shù)仍是主流。
梁宇鑫提到，CPO 的關(guān)鍵工藝包括四個方面：TSV（硅通孔技術(shù)）、單波 200G 調(diào)制技術(shù)、激光器集成技術(shù)、光纖耦合技術(shù)。聯(lián)合微電子將在光通信技術(shù)迭代進程中扮演重要角色。據(jù)了解，聯(lián)合微電子是重慶市政府傾力打造的國家級國際化新型研發(fā)機構(gòu)，成立于 2018 年，首期投資超 30 億元，致力于打造光電集成高端特色工藝平臺。
梁宇鑫介紹，公司在 2020 年 5 月推出了第一套完整硅光 PDK，隨后持續(xù)升級硅光工藝、300nm 氮化硅工藝、三維（3D）集成工藝、硅上氮化硅有源工藝、800nm 氮化硅工藝，目前累計發(fā)布 5 套硅光工藝流片，持續(xù)引領(lǐng)國產(chǎn)化進程。其中，300nm 氮化硅工藝為微波光子、光頻梳、光傳感等場景應(yīng)用提供解決方案，2025 年將優(yōu)化及完善 800nm 氮化硅平臺，涵蓋 O/C 波段常規(guī)器件，支持快速鏈路搭建。
在演講最后，梁宇鑫總結(jié)，為發(fā)揮光電共封裝的全部潛力，需要突破新型調(diào)制、三維集成、激光器集成與光纖耦合等關(guān)鍵技術(shù)。聯(lián)合微電子定位開發(fā)平臺，將為業(yè)界提供性能優(yōu)異的硅光、氮化硅流片，以及多種三維集成工藝，加速 CPO 技術(shù)走向成熟、走向規(guī)模商用。
