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據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電的 2nm 制程技術(shù)正在引發(fā)前所未有的市場(chǎng)需求，有望成為該公司下一個(gè)“淘金熱”。
報(bào)道稱，臺(tái)積電的 2nm 節(jié)點(diǎn)需求遠(yuǎn)超以往任何制程，甚至在大規(guī)模量產(chǎn)之前就已經(jīng)展現(xiàn)出強(qiáng)勁的吸引力，有望超越目前極為成功的 3nm 節(jié)點(diǎn)。
臺(tái)積電的 2nm 制程技術(shù)在成熟度上取得了快速進(jìn)展，其缺陷密度率已與 3nm 和 5nm 相當(dāng)，并采用了新的環(huán)繞柵極晶體管（GAAFET）架構(gòu)。
此外，與 3nm 增強(qiáng)版（N3E）相比，2nm 制程的速度提升了 10%至 15%。
在市場(chǎng)需求方面，蘋(píng)果被認(rèn)為是 2nm 制程的最大客戶，可能會(huì)將其用于 iPhone 18 系列，緊隨其后的是 NVIDIA，該公司計(jì)劃將 2nm 制程用于其 Vera Rubin 芯片。
AMD 則是首家宣布采用臺(tái)積電 2nm 制程的公司，其 Zen 6 Venice CPU 將率先使用該技術(shù)。
臺(tái)積電計(jì)劃在 2025 年底前實(shí)現(xiàn)每月約 5 萬(wàn)片 2nm 晶圓的產(chǎn)能，并計(jì)劃到 2027 年將產(chǎn)能擴(kuò)大三倍，此外臺(tái)積電還計(jì)劃在 2028 年于美國(guó)亞利桑那州工廠開(kāi)始生產(chǎn) 2nm 芯片，以滿足長(zhǎng)期需求。
